金属膜电阻温度系数随膜厚而变化，薄的膜为负值，厚的膜为正值，更厚的膜与块状材料相似，但并不完全相同。一般情况下，薄膜厚度增加到数十纳米时，电阻温度系数从负值转为正值。 此外，蒸发速率也影响金属薄膜的电阻温度系数。低蒸发速率制备的膜层疏松，电子越过其势垒而产生电导的能力弱，再加上氧化和吸附作用，所以电阻值较高，电阻温度系数偏小，甚至为负值，随着蒸发率的增大，电阻温度系数由小变大，由负变正。这是由于低蒸发率制备的薄膜由于氧化而具备半导体性质，电阻温度系数出现负值。高蒸发率制备的薄膜趋向于金属特性，电阻温度系数为正值。 由于薄膜的结构随温度进行不可逆的变化，因此薄膜的电阻、电阻温度系数也都随蒸镀时镀层温度发生变化，越薄的膜，这种变化越剧烈。这可以认为近似岛状或管状结构膜的粒子在基板上再蒸发、再分布以及晶格散射、杂质散射、晶格缺陷散射、氧化引起的化学变化的缘故。

离子镀与蒸发镀、溅射镀相比，最大特点是荷能离子一边轰击基体与膜层，一边进行沉积。荷能离子的轰击作用所产生一系列的效应，主要有如下几点。 ①膜/基结合力(附着力)强，膜层不易脱落 由于离子轰击基体产生的溅射作用，使基体受到清洗，激活及加热，既可去除基体表面吸附的气体和污染层，也可去除基体表面的氧化物。离子轰击时产生的加热和缺陷可引起基体的增强扩散效应，既提高了基体表面层组织结晶性能，也提供了合金相形成的条件;而且较高能量的离子轰击，还可产生一定的离子注入和离子束混合效应。 ②离子镀由于产生良好的绕射性 在压力较高的情况下 (大于或等于1Pa) 被电离的蒸气离子或分子在它到达基体前的路程上将会遇到气体分子的多次碰撞，因此可使膜材粒子散射在基体的周围，从而改善了膜层的覆盖性；而且被电离的膜材粒子还会在电场的作用下沉积在具有负电压基体表面的任意位置上，这一点蒸发镀是无法达到的。 ③镀层质量高 由于离子轰击可提高膜的致密度，改善膜的组织结构，使得膜层的匀度好，镀层组织致密，针孔和气泡少，因此提高了膜层质量。

1.电子元件用薄膜 例如，Ta、Ta2N、Ta-Al-N、Ta-Si、Cr-SiO、NiCr、Sn、Sb金属膜电阻，SiO、SiO2、Al2O3;、Ta2O5;、TiO2、Al、Zn电容以及 Cr、Cu (Au)、Pb-Sn、PbIn、Au、Pt、A1、Au+Pb+In、Pb+Au+Pb、A1+Cu、Zn0、CdS电极等。 2.摄像管中的 SbS2、CdSe、Se-As-Te、ZnSe、PbO、光电导面;SnO2、In2O3; 透明电导膜。半导体元件和半导体集成电路用薄膜 成膜材料有 Ni、Ag、Au-Ge、Ti-Ag-AuAl、AL-Si、AI-Si-Cu、Mo、MoSi、WSi、TiPt-Au、W-Au、MoAu、Cr-Cu-Au半导体膜;SiOz、AlO3、SiN，绝缘膜。 3.电发光元件中的In2O3;+SnO3，透明光导膜，ZnS、ZnS+ ZnSe、ZnS+CdS荧光体和Al电极，Y2O3;SiO2、Si3N4.、Al2O3,绝缘膜。 传感器件的PbO+In2O3;、Pb、NbN、V3Si约夫逊结合膜，Fe-Ni磁泡用膜以及电传感用 Se、Te、CdS、ZnS传感器膜。